晶圓是用來(lái)制造IC芯片的基礎(chǔ)材料，由晶體和硅熔體通過(guò)熔晶工藝制造出晶圓棒，再通過(guò)切片方式制造出單片晶圓，晶圓劃片則是劃線出單個(gè)晶體單位。

晶圓劃片工藝已經(jīng)不再只是把一個(gè)硅晶圓劃片成單獨(dú)的芯片這樣簡(jiǎn)單的操作。隨著更多的封裝工藝在晶圓級(jí)完成,并且要進(jìn)行必要的微型化,針對(duì)不同任務(wù)的要求,在分割工藝中需要對(duì)

不同的操作參數(shù)進(jìn)行調(diào)整。例如,分割QFN封裝需要具有可以切割柔性和脆性材料組成的復(fù)合基板的能力。MEMS封裝則常常具有微小和精細(xì)的結(jié)構(gòu);梁、橋、鉸鏈、轉(zhuǎn)軸、膜和其他敏感形態(tài);這些都需要特別的操作技術(shù)和注意事項(xiàng)。在切割硅晶圓低厚度,或者像GaAs這樣的脆性材料時(shí),又增添了額外的挑戰(zhàn)例如碎片、斷裂和殘?jiān)漠a(chǎn)生。

劃片方法主要有刀具劃片、激光劃片。

刀具劃片：是以強(qiáng)力磨削為手段，通過(guò)空氣靜壓支撐的電主軸帶動(dòng)超薄金剛石刀片以高速旋轉(zhuǎn)，用刀片上的微細(xì)磨粒與被加工物進(jìn)行接觸，使劃切處的材料產(chǎn)生碎裂。

劣勢(shì)：

刀片劃片直接作用于晶圓表面，在晶體內(nèi)部產(chǎn)生損傷，容易產(chǎn)生晶圓崩邊及晶片破損；

刀片具有所的厚度，導(dǎo)致刀具的劃片線寬較大；

耗材大，刀片需每半個(gè)月更換一次；

環(huán)境污染大，切割后的硅粉水難處理。

激光劃片：利用高能激光束聚焦產(chǎn)生的高溫使照射局部范圍內(nèi)的硅材料瞬間氣化，完成硅片分離。

優(yōu)勢(shì)：

對(duì)芯片的電性影響小，可提高的劃片成品率；

可以對(duì)不同厚度的晶圓進(jìn)行作業(yè)，具有更好的兼容性和通用性；

可以切割一些較復(fù)雜的晶圓芯片，如六邊形管芯等；

不需要去離子水，不存在刀具磨損問(wèn)題，并可連續(xù)24小時(shí)作業(yè)。