晶圓切割（劃片）是芯片制造工藝流程中后道工序。將做好芯片的整片晶圓按芯片大小分割成單一的芯片（晶粒）。

早期鉆石鋸片（砂輪）切割方法是較為常見的晶圓切割方法，切穿晶圓,刀片根據(jù)產(chǎn)品選擇,有鋼刀、樹脂刀等等。由于機械應(yīng)力的存在，切割槽的背面容易出現(xiàn)崩刃，裂紋，崩邊大，層狀剝離等缺陷。嚴重影響良品率，降低了產(chǎn)能效益，增加生產(chǎn)成本。

 激光劃片

激光劃片是指將激光能量于極短的時間內(nèi)集中在微小區(qū)域，使固體升華、蒸發(fā)的全切割加工，開槽加工方式，屬于激光燒蝕加工技術(shù)。激光劃片屬于非接觸式加工，不會產(chǎn)生崩刃、刀具磨損和水污染，熱影響和夾渣是不可忽視的問題。通過冷加工355nm紫外激光或超快激光，在非常高的加工要求規(guī)則下，仍具有一定的熱效應(yīng)。同時激光聚焦無法精確控制到刀具的深度，晶圓完全切穿時，藍膜往往會被破壞，影響后續(xù)的晶體膨脹過程。

激光劃片跟晶圓厚度有密切關(guān)系，厚度越厚，劃片速度越慢，吞吐量就越低。

激光燒蝕劃片適用于：

異形工件的切割加工比較脆的材料的加工，比如砷化GaAs化合物半導(dǎo)體材料超薄硅片的劃片，避免傳統(tǒng)刀片劃片進給速度引發(fā)的破片風險；

激光燒蝕劃片的缺點：

激光燒蝕在表面會產(chǎn)生碎屑，需要額外的濕法清洗工序，有切割道，相對而言生產(chǎn)效率較低。

隱形切割

激光隱形切割通過將脈沖激光的單個脈沖通過光學(xué)整形，讓其透過材料表面在材料內(nèi)部聚焦，在焦點區(qū)域能量密度較高，形成多光子吸收非線性吸收效應(yīng)，使得材料改性形成裂紋。每一個激光脈沖等距作用，形成等距的損傷即可在材料內(nèi)部形成一個改質(zhì)層。在改質(zhì)層位置材料的分子鍵被破壞，材料的連接變的脆弱而易于分開。切割完成后通過拉伸承載膜的方式，將產(chǎn)品充分分開，并使得芯片與芯片之間產(chǎn)生間隙。

隱形切割的優(yōu)點：

由于工件內(nèi)部改質(zhì)，因此可以抑制加工屑的產(chǎn)生；適用于抗污垢性能差的工件；

適用于抗負荷能力差的工件（MEMS等），且采用干式加工工藝，無需清洗；

可以減小切割道寬度，因此有助于減小芯片間隔，適用于窄劃道工件；

激光劃片與激光隱形切割原理對比：

目前激光在半導(dǎo)體晶圓上的應(yīng)用較多，追求精密加工工藝的同時，也在拓展應(yīng)用覆蓋面。