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Semiconductor Manufacturing
碳化硅（SiC）是由硅（Si）和碳（C）組成具有高能隙、高熱導率、高電子飽和漂移速率等優(yōu)異物理特性的第三代半導體材料。而在應用上碳化硅器件成本居高不下，一方面生產周期長產量有限；另一方面晶錠切割工藝損耗多，良率低；碳化硅晶錠主流的切割技術包括砂漿線切割、金剛石線切割等，然而傳統(tǒng)切割技術的損耗率太高，而且工時太長。以砂漿...
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碳化硅剝離,激光剝離原理,激光剝離優(yōu)勢
半導體制成技術及工藝無論在什么階段都是行業(yè)熱門話題及研究方向，隨著新一代集成電路中尺寸降低，芯片集成密度提高，導致金屬互連線的寄生電阻效應和寄生電容效應愈來愈嚴重，最終發(fā)熱量增加影響芯片性能工作效率降低。 降低集成電路中使用的介電材料的介電常數(shù)，可以減少集成電路的漏電電流，降低導線之間的電阻、電容效應，提升性能及穩(wěn)定性...
紫外皮秒激光,low-k,激光開槽,半導體激光開槽,激光Low-k開槽
晶圓切割（劃片）是芯片制造工藝流程中后道工序。將做好芯片的整片晶圓按芯片大小分割成單一的芯片（晶粒）。早期鉆石鋸片（砂輪）切割方法是較為常見的晶圓切割方法，切穿晶圓,刀片根據(jù)產品選擇,有鋼刀、樹脂刀等等。由于機械應力的存在，切割槽的背面容易出現(xiàn)崩刃，裂紋，崩邊大，層狀剝離等缺陷。嚴重影響良品率，降低了產能效益，增加生產...
晶圓,激光晶圓劃片,晶圓切割,隱形切割
晶圓是用來制造IC芯片的基礎材料，由晶體和硅熔體通過熔晶工藝制造出晶圓棒，再通過切片方式制造出單片晶圓，晶圓劃片則是劃線出單個晶體單位。 晶圓劃片工藝已經不再只是把一個硅晶圓劃片成單獨的芯片這樣簡單的操作。隨著更多的封裝工藝在晶圓級完成,并且要進行必要的微型化,針對不同任務的要求,在分割工藝中需要對不同的操作參數(shù)進行...
晶圓劃片,激光晶圓劃片,激光劃片,單晶硅
在半導體行業(yè)，尤其是晶圓制造的過程中，激光打標一直以來起著至關重要的作用，借助于這種非接觸式的刻印工藝，我們才能保證晶圓的穩(wěn)定可追溯性，以便在整個制造過程中進行追蹤。當然，這也意味著激光標記必須時刻能夠被讀取，同時對工藝細節(jié)有著嚴格的要求，因為標記不能妨礙底層上的任何工藝，也不能對晶圓造成任何額外的損壞，必須讓整...
